隨著芯片工藝的不斷進步，光刻機地位也是越來越重要，因為光刻機的精度，一定程度上決定了光刻工藝的精度，就決定了芯片的精度。

于是從普通的干式DUV光刻機，到浸潤式DUV光刻機，再到普通EUV光刻機，再發(fā)展成High-NA EUV光刻機……

 

一代比一代先進，一代比一代昂貴。

普通的DUV光刻機，只要1000多萬一臺，浸潤式DUV光刻機4、5千萬一臺，EUV光刻機要上億元一臺，而NA=0.55的High-NA EUV，要3億多美元一臺……

像臺積電已經(jīng)擁有的第一代EUV光刻機，上百臺了，這里的成本就是上百億美元了。

但是，問題來了，當(dāng)工藝再前進，這些光刻機又要更新?lián)Q代，比如生產(chǎn)2nm及2nm以下芯片時，可能需要用到NA=0.55的High-NA EUV，如果又要買上百臺，就是300多億美元。

 

這對臺積電這樣的巨頭而言，也是一筆無法承受的開支，自己辛辛苦苦賺錢，最后全被ASML賺去了，真的是忍無可忍啊。

所以，臺積電一直在想辦法，讓舊光刻機能夠生產(chǎn)更為先進的芯片。比如之前第一代7nm芯片，臺積電就沒有采用EUV光刻機，而是采用舊的DUV光刻機，這樣來節(jié)省成本。

直到第二代7nm芯片，臺積電才切換為EUV光刻機。

 

而近日傳出，2nm工藝以及之后的1.6nm工藝下，臺積電也沒打算換成High-NA EUV，臺積電要繼續(xù)使用舊的EUV光刻機，也就是NA=0.33的那一批。

這一批在臺積電手中非常多，如果能夠利用這些舊的，那么臺積電可以節(jié)省一大筆EUV光刻機的升級費用，至少是上百億美元。

此舉對業(yè)界的影響其實是非常大的，如果臺積電帶頭不買新光刻機，對ASML，甚至對整個以光刻機為核心的芯片產(chǎn)業(yè)鏈，都會造成巨大影響。

 

因為一直以來，ASML的EUV光刻機不斷升級，推動整個產(chǎn)業(yè)進步，最終臺積電依賴EUV光刻機的升級，也持續(xù)推進工藝的前進，就真的上相當(dāng)于掀桌子了。

而臺積電的行業(yè)，也給我們帶來了啟示，那就是我們也可以深度挖掘光刻機的潛力，不要老是想著買最新的光刻機，在現(xiàn)有光刻機上，利用技術(shù)改進，一樣可以制造出更先進的芯片來。