9 月 26 日消息，高通向德媒 ComputerBase 確認(rèn)，其早前推出的旗艦 Windows on Arm PC 芯片平臺(tái)驍龍 X2 Elite Extreme 上結(jié)合了兩種不同的臺(tái)積電 3nm 制程工藝。

IT之家此前曾報(bào)道，驍龍 X2 Elite Extreme 是全球首款 5GHz Arm 指令集處理器，總共 18 個(gè) CPU 內(nèi)核中包含 12 個(gè) Prime 核心與 6 個(gè) Performace 核心，其中 2 個(gè) Prime 核心的加速頻率可達(dá) 5GHz。

為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，高通在驍龍 X2 Elite Extreme 主體基于臺(tái)積電 N3P 工藝的同時(shí)，為部分核心采用了允許更高工作電壓的 N3X 工藝，雖然 N3X 意味著更強(qiáng)大的性能，但也會(huì)帶來更大的漏電流和更差的能效。通過 N3P 與 N3X 的聯(lián)合使用，高通在這一芯片平臺(tái)上兼顧了峰值性能與續(xù)航表現(xiàn)。

高通的這一特殊設(shè)計(jì)是臺(tái)積電 FinFlex 技術(shù)的實(shí)現(xiàn)，該項(xiàng)技術(shù)能在單片式設(shè)計(jì)的單一芯片上組合同一制程家族的不同變體。